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电荷补偿结构及用于其的制造
审中-实审

申请号:201510360682.1 申请日:2015-06-26
摘要:电荷补偿结构及用于其的制造。该结构包括半导体主体,其包括第一表面、第二表面、边缘、漏极区、有源区域以及外围区域、源极金属化和漏极金属化。电荷补偿半导体器件还包括:与漏极金属化欧姆接触并布置在外围区域中并接近于第一表面的等电位区、布置在外围区域中并具有掺杂剂的第一浓度的低掺杂半导体区、以及在有源区域和外围区域中与第二柱区交替的多个第一柱区。第一柱区具有比第一浓度高的掺杂剂的第二浓度,且与漏极区欧姆接触。第二柱区与源极金属化欧姆接触。第一柱区的最外边部分和第二柱区的最外边部分中的至少一个形成与低掺杂半导体区的界面。在界面和等电位区之间的水平距离除以在第一表面和漏极区之间的垂直距离在从0.5到3的范围内。
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
地址: 奥地利菲拉赫
发明(设计)人: J.维耶斯 A.维尔梅罗特
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L29/40(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20150626
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种电荷补偿半导体器件,包括:??额定击穿电压;??半导体主体,其包括第一表面、在基本上平行于所述第一表面的水平方向上给所述半导体主体定界的边缘、有源区域以及布置在所述有源区域和所述边缘之间的外围区域;??源极金属化,其布置在所述第一表面上;以及??漏极金属化,其布置成与所述源极金属化相对,在基本上正交于所述第一表面的垂直横截面中,所述半导体主体还包括:??内在半导体区,其布置在所述外围区域中;以及??多个第一柱区,其在所述有源区域和所述外围区域中与第二柱区交替,所述第一柱区具有比所述内在半导体区更高的掺杂浓度,所述第一柱区与所述漏极金属化欧姆接触,所述有源区域的所述第二柱区经由具有比所述第二柱区高的掺杂浓度的相应的主体区与所述源极金属化欧姆接触,所述外围区域的所述第二柱区的至少大部分邻接连接区,所述连接区具有与所述第二柱区相同的导电类型并具有比所述主体区的邻接的最外边部分低的掺杂浓度,在邻近的第一柱区和第二柱区之间形成相应的pn结,所述第一柱区的最外边部分和所述第二柱区的最外边部分中的至少一个在水平位置处形成与所述内在半导体区的界面,在所述水平位置处,当所述额定击穿电压施加在所述源极金属化和所述漏极金属化之间时,在所述第一表面处的电压是所述额定击穿电压的至少大约五分之一。
公开号  105280711A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  王岳 胡莉莉
颁证日  
优先权  2014.06.27 US 14/316987
国际申请  
国际公布  
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