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半导体装置的制造方法和半导体装置
审中-实审

申请号:201510360218.2 申请日:2015-06-26
摘要:本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种增加静电电容并且抑制耐压的劣化的半导体装置的制造方法和半导体装置。包含:在基板上形成下层电极的工序;覆盖下层电极的周围和下层电极的上表面端部来形成第一绝缘膜的工序;沿着下层电极的上表面端部以外的上表面中央部和第一绝缘膜的侧面和上表面形成第二绝缘膜的工序;以及在第二绝缘膜上形成上层电极的工序。
申请人: 拉碧斯半导体株式会社
地址: 日本神奈川县横滨市
发明(设计)人: 鸣泽拓郎
主分类号: H01L21/822(2006.01)I
分类号: H01L21/822(2006.01)I H01L23/58(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-06  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/822申请日:20150626
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置的制造方法,其中,包含:在基板上形成下层电极的工序;覆盖所述下层电极的周围和所述下层电极的上表面端部来形成第一绝缘膜的工序;沿着所述下层电极的所述上表面端部以外的上表面中央部和所述第一绝缘膜的侧面和上表面形成第二绝缘膜的工序;以及在所述第二绝缘膜上形成上层电极的工序。
公开号  105280557A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  秦琳 陈岚
颁证日  
优先权  2014.06.26 JP 2014-131752
国际申请  
国际公布  
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