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面向透射型光学基板中吸收性缺陷深度位置的检测方法
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申请号:201510344616.5 申请日:2015-06-19
摘要:本发明涉及一种面向透射型光学基板中吸收性缺陷深度位置的检测方法,包括:建立微米空间分辨和纳秒时间分辨的成像系统;将金属颗粒旋涂在光学基板表面,再镀制与光学基板质地类似的不同厚度的薄膜,等效将吸收性缺陷植入在光学基板的不同深度位置;利用所述成像系统拍摄相同深度位置缺陷在不同时间阶段、不同深度位置缺陷在同一时间阶段的损伤行为,建立不同深度位置缺陷的损伤行为判定标准;对实际光学基板进行缺陷深度检测,并与建立的不同深度位置缺陷损伤行为判定标准进行比对,实现吸收性缺陷的深度位置检测。与现有技术相比,本发明能对缺陷损伤特征、所在深度位置和损伤阈值等信息进行分析,具有识别精度高、实现简单的优点。
申请人: 同济大学
地址: 200092 上海市杨浦区四平路********(隐藏)
发明(设计)人: 王占山 马彬 陆梦蕾 王可 程鑫彬
主分类号: G01N21/88(2006.01)I
分类号: G01N21/88(2006.01)I
  • 法律状态
2017-11-07  授权
2015-11-18  实质审查的生效IPC(主分类):G01N 21/88申请日:20150619
2015-10-14  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种面向透射型光学基板中吸收性缺陷深度位置的检测方法,该方法是针对诱导透射型光学基板损伤的吸收性缺陷深度位置的检测,其特征在于,包括以下步骤:①基于泵浦探测技术,建立微米空间分辨和纳秒时间分辨的成像系统;②将金属颗粒旋涂在光学基板表面,再镀制与光学基板质地类似的不同厚度的薄膜,等效将吸收性缺陷植入在光学基板的不同深度位置;③利用所述成像系统拍摄相同深度位置缺陷在不同时间阶段、不同深度位置缺陷在同一时间阶段的损伤行为,提取缺陷发生损伤后的特征信息,建立不同深度位置缺陷的损伤行为判定标准;④对实际光学基板进行缺陷深度检测,拍摄其损伤行为,并与建立的不同深度位置缺陷损伤行为判定标准进行比对,实现对诱导光学基板损伤的吸收性缺陷的深度位置检测。
公开号  104977303A
公开日  2015-10-14
专利代理机构  上海科盛知识产权代理有限公司 31225
代理人  翁惠瑜
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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