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分立半导体晶体管
审中-实审

申请号:201510331757.3 申请日:2015-06-16
摘要:分立半导体晶体管包括电耦合在分立半导体晶体管的栅极端子和栅电极端子之间的栅极电阻器。在-40℃的温度下的栅极电阻器的电阻R大于在150℃的温度下。
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
地址: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
发明(设计)人: A.基普 H-J.舒尔策 S.维尔科费尔
主分类号: H01L27/06(2006.01)I
分类号: H01L27/06(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/06申请日:20150616
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种分立半导体晶体管,包括:栅极电阻器,其电耦合在所述分立半导体晶体管的栅极端子和栅电极端子之间;且其中在?40℃的温度下的所述栅极电阻器的电阻R大于在150℃的温度下。
公开号  105280636A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  王岳 胡莉莉
颁证日  
优先权  2014.06.16 US 14/305596
国际申请  
国际公布  
进入国家日期