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用于晶体管装置的改良应力记忆技术
审中-实审

申请号:201510329397.3 申请日:2015-06-15
摘要:本发明揭示用于晶体管装置的改良应力记忆技术,其中一种例示性的方法包含,除其它外,执行源极/漏极延伸离子植入以形成掺杂的延伸植入区域于装置的源极/漏极区域内、以VII族材料(例如,氟)执行离子植入工艺于该源极/漏极区域上、在执行该VII族材料离子植入工艺之后,形成覆盖材料层于该源极/漏极区域的上方,以及在该覆盖材料层就定位时,执行退火工艺以便形成堆迭缺陷于该源极/漏极区域内。
申请人: 格罗方德半导体公司
地址: 英属开曼群岛大开曼岛
发明(设计)人: J·M·范梅尔 徐翠芹 I·弗瑞恩
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I H01L29/08(2006.01)I H01L29/32(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20150615
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种形成包括栅极结构及多个源极/漏极区域的晶体管装置的方法,该方法包括:以掺杂材料执行源极/漏极延伸离子植入工艺,藉以形成掺杂的延伸植入区域于该源极/漏极区域内;以VII族材料执行VII族材料离子植入工艺于该源极/漏极区域上;在执行该VII族材料离子植入工艺后,形成覆盖材料层于该源极/漏极区域上方;以及在该覆盖材料层就定位时,执行退火工艺,以便形成堆迭缺陷于该源极/漏极区域内。
公开号  105280501A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人  程伟 王锦阳
颁证日  
优先权  2014.06.13 US 14/304,017
国际申请  
国际公布  
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