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半导体装置及半导体装置的制造方法
审中-实审
权利转移

申请号:201510321410.0 申请日:2015-06-12
摘要:根据实施方式,提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中,一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外,槽以电极的外侧面为一方的侧面,绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 谷田一真 吉田贵光 内海邦朗 川崎敦子
主分类号: H01L27/146(2006.01)I
分类号: H01L27/146(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I H01L21/82(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-15  专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/146登记生效日:20170727变更事项:申请人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20150612
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘层,设置于基板的表面;电极,埋设于上述绝缘层,一方的端面从绝缘层露出;以及槽,形成在上述基板表面的上述电极的周围。
公开号  105280657A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  徐殿军
颁证日  
优先权  2014.07.08 JP 2014-140390
国际申请  
国际公布  
进入国家日期