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半导体装置
审中-实审

申请号:201510317613.2 申请日:2015-06-11
摘要:本发明提供一种半导体装置。能够软化高速二极管的反向恢复动作时的电流波形。在具有使电流在纵向上流动的PiN型二极管结构的二极管中,在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域中,局部地配置有产生载流子的载流子残存层(结晶缺陷层)。利用该层在开关动作时供给载流子(电子),并使由此产生的电流流动,因此,载流子不会急剧消失,能够软化反向恢复动作时的电流波形。由于未在二极管的背面设置载流子残存层(结晶缺陷层),因此不使Vf上升就能够软化电流波形。
申请人: 三垦电气株式会社
地址: 日本埼玉县
发明(设计)人: 森川直树
主分类号: H01L29/868(2006.01)I
分类号: H01L29/868(2006.01)I H01L29/32(2006.01)I
  • 法律状态
2016-06-29  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/868申请日:20150611
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置构成为具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构,并且在施加反向偏压时所形成的耗尽层外侧的外周区域(惰性区域)中具有产生载流子的结晶缺陷层。
公开号  105280721A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人  李辉 黄纶伟
颁证日  
优先权  2014.06.12 JP 2014-121077
国际申请  
国际公布  
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