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硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法
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申请号:201510317403.3 申请日:2015-06-10
摘要:本发明公开了一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法,涉及压力传感器技术领域。本发明采用单片SOI材料制备压力传感器,芯片尺寸可以做到毫米量级,与相同规格的硅杯型压力传感器相比,晶圆上的管芯数有一个数量级上的提高;采用硅岛膜结构的传感模式,测量灵敏度提高;制备工艺简单,传感器成本大幅下降;利用SOI材料的第二硅层厚度误差小的特点制备传感膜,测量灵敏度、精度均有提高;双掩膜刻蚀方式避免了因一次刻蚀后形成大台阶而影响后续光刻工艺的光刻胶覆盖不上的问题,不仅可简化工艺,还为高深宽比刻蚀工艺提供了另一种解决办法;此外,本发明的压力传感器的压阻在绝缘层上形成,能够保证在300℃高温环境下正常工作。
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
地址: 050051 河北省石家庄市合作路113号
发明(设计)人: 杜少博 何洪涛 王伟忠 杨拥军
主分类号: G01L1/18(2006.01)I
分类号: G01L1/18(2006.01)I G01L9/06(2006.01)I
  • 法律状态
2017-07-04  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/18申请日:20150610
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器,其特征在于:所述传感器包括第二硅层(4),所述第二硅层(4)的下表面设有硅岛膜结构,所述第二硅层(4)的上表面设有第三绝缘层(5),所述第三绝缘层(5)的上表面设有四个压阻,四个压阻通过金属布线进行互联构成惠斯通电桥,所述第三绝缘层(5)的上表面设有引线孔(9)。
公开号  104864988A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人  黄辉本
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期