搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

双向沉积镀膜装置及镀膜方法
有权
阅读授权文献

申请号:201510314281.2 申请日:2015-06-10
摘要:本发明涉及薄膜制备技术领域,尤其是双向沉积镀膜装置及镀膜方法,其特征在于:所述工件伞架的上方和下方分别固定设置有溅射靶材和蒸发源,位于所述工件伞架下方的所述蒸发源由与其对应的离子源辅助作用对所述基片的一侧表面进行的镀膜,位于所述工件伞架上方的所述溅射靶材由与其对应的射频源激发并对所述基片的另一侧表面进行镀膜。本发明的优点是:可以实现双面同时镀膜的双向沉积真空镀膜装置,以达到同一时刻两个膜料源同时沉积;使需要双面镀膜的基片的镀膜环节减少,有助于镀膜效率和质量的提高。
申请人: 光驰科技(上海)有限公司
地址: 200444 上海市宝山区宝山城市工业园区城银路267号
发明(设计)人: 李志勇
主分类号: C23C14/34(2006.01)I
分类号: C23C14/34(2006.01)I C23C14/24(2006.01)I
  • 法律状态
2017-12-08  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/34申请日:20150610
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种双向沉积镀膜装置,包括镀膜腔体,所述镀膜腔体中设置有工件伞架,所述工件伞架上承载有基片,其特征在于:所述工件伞架的上方和下方分别固定设置有溅射靶材和蒸发源,位于所述工件伞架下方的所述蒸发源由与其对应的离子源辅助作用对所述基片的一侧表面进行的镀膜,位于所述工件伞架上方的所述溅射靶材由与其对应的射频源激发并对所述基片的另一侧表面进行镀膜。
公开号  104862656A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  上海申蒙商标专利代理有限公司 31214
代理人  徐小蓉
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期