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形成具有栅极环绕沟道配置的纳米线装置的方法以及纳米线装置
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申请号:201510312395.3 申请日:2015-06-09
摘要:本发明涉及形成具有栅极环绕沟道配置的纳米线装置的方法以及纳米线装置。一种示例方法包括围绕鳍片形成至少一个外延半导体覆盖材料层并图案化该覆盖材料以及该鳍片,从而导致该图案化鳍片位于该图案化覆盖材料下,其中,该图案化覆盖材料具有上部以及自该上部向下延伸的多个基本垂直取向的支腿。该方法还包括相对该图案化覆盖材料选择性移除该图案化鳍片,环绕该覆盖材料的至少部分形成牺牲栅极结构,在各该基本垂直取向的支腿上形成外延半导体源/漏区,以及围绕该覆盖材料的至少部分形成最终栅极结构。
申请人: 格罗方德半导体公司
地址: 英属开曼群岛大开曼********(隐藏)
发明(设计)人: B·J·帕夫拉克
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/10(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L29/775(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2018-08-28  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20150609
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种方法,包括:在半导体衬底中形成鳍片;执行至少一个第一外延沉积制程,以围绕该鳍片的暴露部分形成至少一个外延半导体覆盖材料层;执行至少一个蚀刻制程,以图案化该至少一个覆盖材料层以及该鳍片,从而导致该鳍片的图案化部分位于该图案化的该至少一个覆盖材料层下,该图案化的至少一个覆盖材料层具有上部以及自该上部向下延伸的多个基本垂直取向的支腿;执行至少一个蚀刻制程,以相对该图案化的至少一个覆盖材料层选择性移除该图案化鳍片,从而在该图案化的至少一个覆盖材料层下形成开口;环绕该至少一个覆盖材料层的该上部的至少部分形成牺牲栅极结构;伴随该牺牲栅极结构就位,执行第二外延沉积制程,以在各该基本垂直取向的支腿上形成外延半导体源/漏区;移除该牺牲栅极结构;以及环绕该至少一个覆盖材料层的该上部的至少部分形成最终栅极结构。
公开号  105280709A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人  程伟 王锦阳
颁证日  
优先权  2014.06.13 US 14/304,096
国际申请  
国际公布  
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