搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

鳍式场效应晶体管的结构和形成方法
审中-实审

申请号:201510312286.1 申请日:2015-06-09
摘要:提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件还包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件和位于鳍结构的上方并且与栅极堆叠件相邻的外延生长的源极/漏极结构。半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构的上方的半导体保护层。半导体保护层具有比外延生长的源极/漏极结构的碳原子浓度更大的碳原子浓度。本发明还涉及鳍式场效应晶体管的结构和形成方法。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 张简旭珂 林子凯 郑志成
主分类号: H01L27/088(2006.01)I
分类号: H01L27/088(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L21/8234(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/088申请日:20150609
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件结构,包括:半导体衬底;鳍结构,位于所述半导体衬底上方;栅极堆叠件,覆盖所述鳍结构的一部分;外延生长的源极/漏极结构,位于所述鳍结构的上方并且与所述栅极堆叠件相邻;以及半导体保护层,位于所述外延生长的源极/漏极结构的上方,其中,所述半导体保护层的碳原子浓度比所述外延生长的源极/漏极结构的碳原子浓度更大。
公开号  105280639A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.06.12 US 62/011,386;2014.09.11 US 14/483,900
国际申请  
国际公布  
进入国家日期