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一种钆钡铜氧薄膜的制备方法
审中-实审

申请号:201510308871.4 申请日:2015-06-08
摘要:本发明涉及一种钆钡铜氧薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上,并将反应室抽至真空状态;2)称取适量的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钆,双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜,置于原料罐中;3)将基板加热,控制原料罐的温度;4)将先驱体原料以及氧化气通入反应室内;5)待反应时间结束后停止加热,将基板冷却至室温,即可。与现有技术相比,本发明的有益效果是:1)实现了钆钡铜氧薄膜的快速制备,提高了生产效率;2)提高钆钡铜氧薄膜的超导性能,为其应用提供相应的理论基础。
申请人: 武汉理工大学
地址: 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
发明(设计)人: 涂溶 郑顶恒 章嵩 可望 汪婷 张联盟
主分类号: C23C16/40(2006.01)I
分类号: C23C16/40(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/40申请日:20150608
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种钆钡铜氧薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)选取氧化铝作为沉积基板,将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上,并将反应室抽至真空状态;(2)称取适量的三(2,2,6,6?四甲基?3,5?庚二酮酸)钆,双(2,2,6,6?四甲基?3,5?庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6?四甲基?3,5?庚二酮酸)铜,将上述三种先驱体原料分别置于相应的原料罐中;(3)将氧化铝基板加热至1000~1100℃,控制上述先驱体三(2,2,6,6?四甲基?3,5?庚二酮酸)钆,双(2,2,6,6?四甲基?3,5?庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6?四甲基?3,5?庚二酮酸)铜的原料罐的温度分别在200~230℃,320~340℃和180~200℃范围内;(4)利用载流气体将先驱体原料以及氧化气通入反应室内,调节并控制反应室内的压强和反应时间;(5)待反应时间结束后停止加热,将基板冷却至室温,即可在氧化铝基板上得到钆钡铜氧薄膜。
公开号  104862665A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102
代理人  崔友明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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