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半导体器件
审中-实审

申请号:201510302984.3 申请日:2015-06-04
摘要:一种半导体器件,其中在重叠漏区和源区的区域中抑制电场的聚集。漏区形成在第一区中,源区形成在第二区中。场氧化膜在平面图中围绕第一区。金属互连位于场氧化膜上。金属互连由在25℃下具有40μΩ·cm或以上且200μΩ·cm或以下的电阻率的金属形成。而且,金属互连在沿第一区的边缘的方向上被螺旋地重复提供。而且,金属互连在最内周处与漏区电连接,且在最外周处与源区或接地电势电连接。
申请人: 瑞萨电子株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 佐藤启之 中柴康隆
主分类号: H01L23/528(2006.01)I
分类号: H01L23/528(2006.01)I H01L23/532(2006.01)I H01L23/48(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-23  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528申请日:20150604
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:衬底,形成在所述衬底中的晶体管,形成在所述衬底中并包括所述晶体管的漏区的第一区,形成在所述衬底中并在平面图中围绕所述第一区的场绝缘膜,形成在所述衬底中的、在平面图中经由所述场绝缘膜位于所述第一区外部并包括所述晶体管的源区的第二区,以及位于所述场绝缘膜上方的金属互连,其中所述金属互连由在25℃下具有40μΩ·cm或以上且200μΩ·cm或以下的电阻率的金属形成、且在沿所述第一区的边缘的方向上折返或螺旋的同时重复提供、在最内周处与所述漏区电连接、且在最外周处与所述源区或接地电势电连接。
公开号  105280612A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人  关兆辉 谢丽娜
颁证日  
优先权  2014.06.05 JP 2014-116435
国际申请  
国际公布  
进入国家日期