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一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法
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申请号:201510302054.8 申请日:2015-06-04
摘要:一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法,包括以下步骤:把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中,密封反应釜,将反应釜加压升温至预定的过渡条件;Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液,C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面,同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解,使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下;对反应釜继续加压升温,加压升温至预定的生长条件(700~1000℃,1~50MPa),籽晶处开始GaN单晶生长;GaN单晶达到目标厚度后,对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合,阻止GaN多晶的形成,提高了GaN单晶的生长速率。
申请人: 北京大学东莞光电研究院
地址: 523000 广东省东莞市松山湖创新科技园1号楼418室
发明(设计)人: 刘南柳 陈蛟 李顺峰 汪青 罗睿宏 张国义
主分类号: C30B29/40(2006.01)I
分类号: C30B29/40(2006.01)I C30B11/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-04  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20150604
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法,包括以下步骤:把C片、固体的Ga?Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中,密封反应釜,将反应釜加压升温至预定的过渡条件,该预定的过渡条件是温度为50~800℃,压力为0.1~20MPa;Ga?Na源材料由固体变为Ga?Na溶液,C片由于密度小于Ga?Na溶液而漂浮在气液界面,同时C片开始在Ga?Na溶液上部区域缓慢溶解,使得Ga?Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下;对反应釜继续加压升温,加压升温至预定的生长条件,该预定的生长条件是温度为700~1000℃,压力为1~50MPa,籽晶处开始GaN单晶生长;GaN单晶达到目标厚度后,对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。
公开号  104862781A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人  罗晓林
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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