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发光二极管及其制造方法
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申请号:201510300521.3 申请日:2015-06-03
摘要:公开一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括:发光结构体;多个孔,其贯通第二导电型半导体层及活性层,并且第一导电型半导体层部分地露出;及,多个单元电极层,其相互隔开,包括与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接并相互绝缘的第一电极层和第二电极层,其中,所述第二电极层包括与所述多个孔分别对应的开口部;及,至少一个连接层,其电连接至少两个所述单元电极层;其中,所述第一电极层通过所述多个孔,与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触,部分地覆盖所述发光结构体。因此,能够提供改进电流分散效应及发光均匀性的发光二极管。
申请人: 首尔伟傲世有限公司
地址: 韩国京畿道安山市檀园区山檀路163便道65-16
发明(设计)人: 李小罗
主分类号: H01L33/20(2010.01)I
分类号: H01L33/20(2010.01)I H01L33/38(2010.01)I H01L33/62(2010.01)I
  • 法律状态
2018-03-30  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/20申请日:20150603
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种发光二极管,其特征在于,包括:发光结构体,其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层;多个孔,其贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层,并且所述第一导电型半导体层部分地露出;及,第一电极层和第二电极层,分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接并相互绝缘,所述第二电极层包括:多个单元电极层,其相互隔开,并包括与所述多个孔分别对应的开口部;及,至少一个连接层,其电连接至少两个所述单元电极层,所述第一电极层通过所述多个孔而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触,并部分地覆盖所述发光结构体。
公开号  105280772A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人  杨文娟 臧建明
颁证日  
优先权  2014.06.03 KR 10-2014-0067396
国际申请  
国际公布  
进入国家日期