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一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法
审中-实审

申请号:201510298974.7 申请日:2015-06-03
摘要:本发明属于类金刚石薄膜制备技术领域,特别涉及一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法。本发明方法以掺杂氟的二氧化锡导电玻璃、ITO或单晶硅为阴极,碳棒为阳极,卤代羧酸溶液为电解液。在常温条件下,通过在阴阳两电极之间施加3~15V的直流电压,可以在阴极上沉积出类金刚石薄膜。该方法具有设备简单、能耗低、沉积速率快及成膜均一性好等优点,易于实现工业化生产。
申请人: 常州大学
地址: 213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号
发明(设计)人: 陈智栋 张倩 王文昌 王钰蓉
主分类号: C25D9/04(2006.01)I
分类号: C25D9/04(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C25D 9/04申请日:20150603
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法,其特征在于:所述的制备方法中,以卤代羧酸的水溶液为电解液,在阴极和阳极之间施加电压,电沉积类金刚石薄膜。
公开号  104862759A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  
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颁证日  
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