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半导体器件
审中-实审

申请号:201510295584.4 申请日:2015-06-02
摘要:本发明涉及一种半导体器件。元件隔离沟槽形成在衬底中且在平面图中沿多边形的各边形成。第一沟槽形成在衬底中并在不同于沟槽的任意边的方向上延伸。第一导电类型区形成在位于衬底中的第一沟槽的端部侧的部分上/上方。因此,当通过在衬底中形成沟槽且将杂质斜向地注入沟槽中而形成在衬底的深度方向上延伸的杂质区时,能防止杂质注入凹槽的侧面中,诸如用于元件隔离等的凹槽的不希望杂质注入的侧面中。
申请人: 瑞萨电子株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 德光成太
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/72(2006.01)I H01L29/861(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-23  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20150602
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:衬底;元件隔离沟槽,所述元件隔离沟槽形成在所述衬底中,并且在平面图中沿多边形的每一条边形成;第一沟槽,所述第一沟槽形成在所述衬底中,并且在与所述元件隔离沟槽的任意边不同的方向上延伸;以及第一第一导电类型区,所述第一第一导电类型区形成在位于所述衬底中的所述第一沟槽的端部侧的部分上。
公开号  105280708A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人  李兰 孙志湧
颁证日  
优先权  2014.06.03 JP 2014-115133
国际申请  
国际公布  
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