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半导体装置和电子设备
审中-实审

申请号:201510293629.4 申请日:2015-06-01
摘要:本发明涉及一种半导体装置和电子设备,其改进了半导体装置的制造成品率。提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置,其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET,以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时,半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9),以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。
申请人: 瑞萨电子株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 秋山悟 小林宏嘉 猪股久雄 齐藤正
主分类号: H01L25/07(2006.01)I
分类号: H01L25/07(2006.01)I H01L29/808(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-27  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07申请日:20150601
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,包括:第一半导体芯片,具有由带隙大于硅的半导体构成的第一衬底,所述第一半导体芯片被形成有第一结FET,所述第一结FET具有第一栅极电极、第一源极和第一漏极;第二半导体芯片,具有由带隙大于硅的半导体构成的第二衬底,所述第二半导体芯片被形成有第二结FET,所述第二结FET具有第二栅极电极、第二源极和第二漏极;以及第三半导体芯片,具有由硅构成的第三衬底,所述第三半导体芯片被形成有MOSFET,所述MOSFET具有第三栅极电极、第三源极和第三漏极;所述第一结FET的第一源极与所述MOSFET的第三漏极电耦合,所述第二结FET的第二源极与所述MOSFET的第三漏极电耦合,所述第一结FET的第一栅极电极与所述MOSFET的第三源极电耦合;以及所述第二结FET的第二栅极电极与所述MOSFET的第三源极电耦合。
公开号  105280625A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市金杜律师事务所 11256
代理人  王茂华 张宁
颁证日  
优先权  2014.06.02 JP 2014-114063
国际申请  
国际公布  
进入国家日期