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发光器件
审中-实审

申请号:201510292481.2 申请日:2015-06-01
摘要:本发明涉及一种发光器件。公开了一种发光器件,包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构,与第一导电半导体层电连接的第一电极,发光结构下的镜层,镜层和发光结构之间的窗口半导体层,镜层下的反射层,位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层,以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。
申请人: LG伊诺特有限公司
地址: 韩国首尔
发明(设计)人: 文智炯 李尚烈 朴范斗 金青松 朴相绿 郑炳学 李泰庸
主分类号: H01L33/14(2010.01)I
分类号: H01L33/14(2010.01)I H01L33/02(2010.01)I H01L33/10(2010.01)I
  • 法律状态
2017-06-30  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20150601
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下的有源层和所述有源层下的第二导电半导体层;与所述第一导电半导体层电连接的第一电极;所述发光结构下的镜层;所述镜层和所述发光结构之间的窗口半导体层;所述镜层下的反射层;导电接触层,所述导电接触层布置在所述反射层和所述窗口半导体层之间并且与所述第二导电半导体层接触;以及支撑衬底,所述支撑衬底在所述反射层下、具有导电特性,其中,所述窗口半导体层包括掺杂有碳(C)的磷(P)基半导体并且具有高于所述第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度,以及所述导电接触层包括不同于所述镜层的材料的材料,并且具有薄于所述窗口半导体层的厚度的厚度。
公开号  105280771A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人  周燕 夏凯
颁证日  
优先权  2014.05.30 KR 10-2014-0065759;2014.05.30 KR 10-2014-0065763;2014.06.17 KR 10-2014-0073250;2014.06.17 KR 10-2014-0073282;2014.06.17 KR 10-2014-0073251;2014.06.17 KR 10-2014-0073253;2014.06.17 KR 10-2014-0073252
国际申请  
国际公布  
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