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半导体装置与其的制造方法
审中-实审

申请号:201510288705.2 申请日:2015-05-29
摘要:一种半导体装置包含基板、有源层、源极、漏极、P型掺杂层、栅极、第一保护层以及场板。有源层置于基板上。源极与漏极置于有源层上。P型掺杂层置于有源层上且置于源极与漏极之间。P型掺杂层具有第一厚度。栅极置于P型掺杂层上。第一保护层至少覆盖栅极与有源层。场板置于第一保护层上且电性连接至源极。场板包含场分散部,置于栅极与漏极之间。第一保护层于场分散部与有源层之间具有第二厚度。第二厚度小于第一厚度。
申请人: 台达电子工业股份有限公司
地址: 中国台湾桃园县
发明(设计)人: 廖文甲
主分类号: H01L29/778(2006.01)I
分类号: H01L29/778(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L29/40(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20150529
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,包含:一基板;一有源层,置于该基板上;一源极与一漏极,置于该有源层上;一P型掺杂层,置于该有源层上且置于该源极与该漏极之间,其中该P型掺杂层具有一第一厚度;一栅极,置于该P型掺杂层上;一第一保护层,至少覆盖该栅极与该有源层;以及一场板,置于该第一保护层上且电性连接至该源极,其中该场板包含一场分散部,置于该栅极与该漏极之间,且该第一保护层于该场分散部与该有源层之间具有一第二厚度;其中该第二厚度小于该第一厚度。
公开号  105280695A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人  赵根喜 李昕巍
颁证日  
优先权  2014.06.06 US 62/008,600
国际申请  
国际公布  
进入国家日期