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氮化物半导体元件及其制造方法
审中-实审

申请号:201510282291.2 申请日:2015-05-28
摘要:一种氮化物半导体元件,其具备:以c面作为主面且在上述主面上设置有多个俯视下为长条形状的凸部的蓝宝石基板、和在上述蓝宝石基板的上述主面上设置的氮化物半导体层,其中,上述凸部在俯视下其长条形状的长边方向的外缘向相对于上述蓝宝石基板的a面成-10°~+10°的角度的范围内的方向延伸。
申请人: 日亚化学工业株式会社
地址: 日本德岛县
发明(设计)人: 下冈知祐 佐野雅彦 东直树
主分类号: H01L33/32(2010.01)I
分类号: H01L33/32(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-12-14  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32申请日:20150528
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氮化物半导体元件,其具备:蓝宝石基板,其以c面作为主面且在所述主面上设置有多个俯视下为长条形状的凸部;和氮化物半导体层,其设置在所述蓝宝石基板的所述主面上,在俯视下所述凸部的长条形状的长边方向的外缘向相对于所述蓝宝石基板的a面成?10°~+10°的角度的范围内的方向延伸。
公开号  105280776A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人  张玉玲
颁证日  
优先权  2014.05.30 JP 2014-111966
国际申请  
国际公布  
进入国家日期