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半导体发光元件和光学相干断层成像装置
审中-实审

申请号:201510279692.2 申请日:2015-05-28
摘要:本发明涉及半导体发光元件和光学相干断层成像装置。半导体发光元件包括多量子阱有源层,所述多量子阱有源层包含具有相互不同的阱宽度的第一量子阱和第二量子阱。第一量子阱和第二量子阱的阱层由InxGa1-xAs形成。第一量子阱的阱宽度Lw和阱层In含量Inx(Lw)以及第二量子阱的阱宽度Ln和阱层In含量Inx(Ln)满足下式(1):0.0631(Ln/Lw)2-0.134(Ln/Lw)+0.0712<Inx(Ln)-Inx(Lw)<0.0068(Ln/Lw)2-0.1995(Ln/Lw)+0.192????????(1)。
申请人: 佳能株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 关口芳信
主分类号: H01L33/00(2010.01)I
分类号: H01L33/00(2010.01)I H01L33/06(2010.01)I H01L33/30(2010.01)I
  • 法律状态
2016-03-23  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20150528
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体发光元件,其特征在于,包括具有多量子阱结构的有源层,所述多量子阱结构包含具有相互不同的阱宽度的第一量子阱和第二量子阱,其中,第一量子阱具有比第二量子阱的阱宽度大的阱宽度并且由具有较宽的阱层带隙的材料形成,其中,第一量子阱和第二量子阱的阱层由InxGa1?xAs形成,其中,0≤x<1,其中,当Lw代表第一量子阱的阱宽度、Inx(Lw)代表第一量子阱的阱层In含量、Ln代表第二量子阱的阱宽度、以及Inx(Ln)代表第二量子阱的阱层In含量时,Lw大于或等于6nm且小于或等于10nm,并且,Ln比Lw小0.1nm或更多,为Lw的1/2或更大,并且为4.5nm或更大,以及其中,满足下式(1):0.0631(Ln/Lw)2?0.134(Ln/Lw)+0.0712<Inx(Ln)?Inx(Lw)<0.0068(Ln/Lw)2?0.1995(Ln/Lw)+0.192???(1)。
公开号  105280762A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  程连贞
颁证日  
优先权  2014.05.29 JP 2014-111011
国际申请  
国际公布  
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