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3DIC互连器件及其形成方法
审中-实审

申请号:201510278520.3 申请日:2015-05-27
摘要:本发明提供一种3DIC互连器件及其形成方法。提供了堆叠半导体器件和该堆叠半导体器件的形成方法。将多种集成电路相互接合,以形成堆叠半导体器件。在将附加的集成电路接合至先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件的每一个接合步骤之后,形成多个导电塞,以将附加的集成电路和先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件电互连。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 蔡纾婷 陈思莹 林政贤 许慈轩 洪丰基 杨敦年
主分类号: H01L23/528(2006.01)I
分类号: H01L23/528(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/528申请日:20150527
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:第一工件,包括:第一衬底;和第一金属化层,形成在所述第一衬底的正面上,所述第一金属化层具有第一互连件;第二工件,与所述第一工件接合,所述第二工件包括:第二衬底;和第二金属化层,形成在所述第二衬底的正面上,所述第二金属化层具有第二互连件,其中,所述第二衬底的正面面对所述第一衬底的正面;第一再分布层(RDL),形成在所述第二衬底的背面上,所述第二衬底的背面与所述第二衬底的正面相对;第一导电塞,从所述第二衬底的背面延伸至所述第一互连件,所述第一导电塞延伸穿过所述第二互连件;第三工件,与所述第二工件接合,所述第三工件包括:第三衬底;和第三金属化层,形成在所述第三衬底的正面上,所述第三金属化层具有第三互连件,其中,所述第三衬底的正面面对所述第二衬底的背面;以及第二导电塞,从所述第三衬底的背面延伸至所述第一RDL,所述第二导电塞延伸穿过所述第三互连件,所述第三衬底的背面与所述第三衬底的正面相对。
公开号  105280611A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.05.30 US 62/005,763;2014.09.11 US 14/483,908
国际申请  
国际公布  
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