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抗蚀剂除去装置以及抗蚀剂除去方法
审中-实审

申请号:201510276407.1 申请日:2015-05-26
摘要:本发明得到一种抗蚀剂除去装置以及抗蚀剂除去方法,其能够良好地除去在截面凹形晶片的主要部表面上形成的抗蚀剂。喷嘴(3A)整体以圆柱构造形成,所述圆柱构造将包含供给口(31)的供给面(30)作为底面,供给面(30)具有比截面凹形晶片(1)中的晶片主要部(1a)的表面更窄并且容纳于晶片主要部(1a)的表面内的形状。因此,通过在使晶片主要部(1a)的中心与供给面(30)的中心在俯视时一致的状态下,使喷嘴(3A)靠近截面凹形晶片的晶片主要部(1a)的表面,从而能够在晶片内部空间(10)内将喷嘴(3A)的供给面(30)配置在与晶片主要部(1a)的表面相距极近距离处。
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 佐伯尚之
主分类号: H01L21/67(2006.01)I
分类号: H01L21/67(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20150526
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种抗蚀剂除去装置,其针对晶片,所述晶片具有主要部、以及沿着所述主要部的外周形成并在比所述主要部的表面更高的位置处凸出的凸出外周部,所述晶片在所述主要部的表面上形成有抗蚀剂,所述抗蚀剂除去装置的特征在于,具备喷嘴,该喷嘴在底部具有供给面,所述供给面在中心处设置有臭氧溶液的供给口,所述喷嘴具有包含所述供给面的供给部构造,所述供给部构造形成为,在形成于所述凸出外周部与所述主要部的表面之间的晶片内部空间内,与所述凸出外周部不接触地将所述供给面与所述主要部的表面以非接触状态对置配置。
公开号  105280522A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人  何立波 张天舒
颁证日  
优先权  2014.05.26 JP 2014-107763
国际申请  
国际公布  
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