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一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法
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申请号:201510263433.0 申请日:2015-05-22
摘要:本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程:首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气,并使其中氮气的含量保持在20%~30%,待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜;然后以0.5sccm/min~4sccm/min的匀速在10~20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例,使氮气含量从先前20%~30%的含量增加到50%;最后不调整溅射功率,并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器,结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长,表面晶粒生长正常,晶粒尺寸均匀,表面平整,适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。
申请人: 电子科技大学
地址: 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
发明(设计)人: 彭斌 姜建英 张万里 张文旭 王睿 邓言文
主分类号: C23C14/35(2006.01)I
分类号: C23C14/35(2006.01)I C23C14/06(2006.01)I
  • 法律状态
2017-09-26  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20150522
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法,具体包括以下步骤:步骤1、基片清洗:依次用丙酮、酒精、去离子水对即将沉积薄膜的基片表面进行超声清洗,各清洗15分钟后,将清洗好的基片用氮气枪吹干后,放入充入纯氮气的烘干箱中加热至100℃烘干1小时;步骤2、真空预处理:将步骤1处理得到的基片放置于中频磁控反应溅射系统的样品台上,关闭腔体;正常启动磁控溅射仪器,对腔体抽真空至5×10?4Pa以下;步骤3、预溅射:向真空腔体内通入70~80sccm纯度为99.999%的氩气,打开中频溅射电源预溅射清洗纯度为99.999%的铝靶表面15分钟;步骤4、沉积薄膜,包含三个步骤:4.1、向真空腔体内同时通入纯度为99.999%氩气和纯度为99.999%的氮气,并使其中氮气的含量保持在20%~30%之间,待辉光稳定后打开挡板,开始溅射沉积氮化铝薄膜,溅射沉积1~6小时;4.2、在步骤4.1过程结束后,逐步调节溅射腔体内氩气与氮气的比例,使氮气含量从步骤4.1的含量增加到50%;调节速率保持在0.5sccm/min~4sccm/min之间,整个调节过程在10~20分钟内完成;4.3、步骤4.2完成后即氮气含量稳定在50%,不调整溅射功率,再在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器,结束薄膜生长。
公开号  104862659A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  电子科技大学专利中心 51203
代理人  张杨
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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