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电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合的沉积方法
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申请号:201510261447.9 申请日:2015-05-20
摘要:电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合的沉积方法,属于材料表面处理技术领域,本发明为解决采用低熔点的纯金属或多元合金材料和非金属材料(尤其是半导体材料和绝缘材料)作为靶材在传统电弧离子镀方法中存在的大颗粒问题、扩展电弧离子镀靶材使用的局限、传统磁控溅射技术离化率及薄膜沉积效率低和目前高功率脉冲磁控溅射放电不稳定的问题。本发明方法包括:一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上,接通先关电源,二、薄膜沉积:待真空室内的真空度小于10-2Pa时,通入工作气体并调整气压,开启相关电源对靶表面清洗之后,通过波形同步匹配装置实现偏压电源和高功率脉冲磁控溅射电源输出波形的调节,设置所需的工艺参数,进行薄膜沉积。
申请人: 魏永强
地址: 450015 河南省郑州市二七区大学中路2号郑州航空工业管理学院家属院26号楼4单元2楼南户
发明(设计)人: 魏永强 宗晓亚 蒋志强 吴忠振
主分类号: C23C14/32(2006.01)I
分类号: C23C14/32(2006.01)I C23C14/35(2006.01)I
  • 法律状态
2017-07-14  专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/32登记生效日:20170627变更事项:专利权人变更前权利人:魏永强变更后权利人:郑州航空工业管理学院变更事项:地址变更前权利人:450015 河南省郑州市二七区大学中路2号郑州航空工业管理学院家属院26号楼4单元2楼南户变更后权利人:450015 河南省郑州市二七区大学中路2号
2017-07-07  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/32申请日:20150520
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合的沉积方法,其特征在于,该方法所使用装置包括偏压电源1、弧电源2、电弧离子镀靶源3、高功率脉冲磁控溅射电源4、高功率脉冲磁控溅射靶源5、波形同步匹配装置6、真空室7、样品台8、偏压电源波形示波器9和高功率脉冲磁控溅射电源波形示波器10;该方法包括以下步骤:步骤一、将待处理工件置于真空室7内的样品台8上,工件接偏压电源1的输出端,安装在真空室7上的电弧离子镀靶源3接弧电源2的输出端、高功率脉冲磁控溅射靶源5接高功率脉冲磁控溅射电源4的高功率脉冲输出端;步骤二、薄膜沉积:将真空室7抽真空,待真空室7内的真空度小于10?2Pa时,通入工作气体至0.01Pa~10Pa,开启偏压电源1,并调节偏压电源1输出的偏压幅值,脉冲频率和脉冲宽度,开启偏压电源1,并调节偏压电源1输出脉冲的峰值电压值为0~1.2kV,脉冲频率为0Hz~80kHz,脉冲宽度1~90%;开启高功率脉冲磁控溅射电源4,先通过直流起辉对工作气体进行预离化,对高功率脉冲磁控溅射靶源5表面进行清洗;开启弧电源2,通过电弧的弧斑运动对电弧离子镀靶源3的表面进行清洗,调节需要的工艺参数,弧电源2输出的电流值为40~300A,保持电弧等离子体的稳定产生;开启波形同步匹配装置6,根据偏压电源1输出的同步触发信号,通过波形同步匹配装置6来控制高功率脉冲磁控溅射电源4的工作,对所需的工艺参数进行设置,高功率脉冲磁控溅射电源4输出脉冲的电压值为300V~2500V,脉冲宽度为0μs~1000μs,脉冲频率10~1000Hz,电流为10~1000A,控制偏压电源1输出电压和高功率脉冲磁控溅射电源4输出电压的相位,对镀膜离子进行有效的吸引,进行薄膜的沉积和控制低熔点及非金属材料(尤其是半导体材料和绝缘材料)在薄膜中的比例。
公开号  104862653A
公开日  2015-08-26
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