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半导体结构及其制造方法
审中-实审

申请号:201510252597.3 申请日:2015-05-18
摘要:本发明的一些实施例提供了一种半导体结构,其包括衬底和部分设置在衬底中的外延区域。外延区域包括晶格常数大于衬底的晶格常数的物质。外延区域中的物质的浓度分布从外延区域的底部到外延区域的顶部单调增加。外延区域的第一层具有为约2的高度与宽度比。第一层是紧挨衬底设置的层,并且第一层具有的物质的平均浓度为从约10%至约40%。第二层设置在第一层上方。第二层具有底部,底部具有的物质浓度为从约20%至约50%。本发明涉及半导体结构及其制造方法。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 光心君 余宗兴 许义明
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20150518
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构,包括:衬底;以及外延区域,部分地设置在所述衬底中,包括:具有大于所述衬底的第二晶格常数的第一晶格常数的物质;所述物质的浓度分布从接近所述衬底的部分到逐渐远离所述衬底的部分单调增加;和多层结构,所述多层结构的每一层的所述物质的平均浓度均不同于其他层,所述多层结构包括:第一层,邻近所述外延区域与所述衬底的界面,并且所述第一层中的所述物质的平均浓度为从约10%至约40%,所述第一层包括:底部厚度;和横向厚度,其中,所述底部厚度与所述横向厚度的厚度比率为约2;和第二层,设置所述第一层上方,包括:底部,具有从约20%至约50%的所述物质的浓度;和掺杂物。
公开号  105280707A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.07.10 US 14/328,061
国际申请  
国际公布  
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