搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

氮化物半导体层、氮化物半导体装置和用于制造氮化物半导体层的方法
审中-实审

申请号:201510245637.1 申请日:2015-05-14
摘要:根据一个实施方案,提供一种沿第一表面伸展的氮化物半导体层。所述氮化物半导体层包括第一区和第二区。所述第一区在平行于所述第一表面的第一方向上的长度大于所述第一区在平行于所述第一表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度。所述第二区与所述第一区一起布置在所述第二方向上。所述第二区在所述第一方向上的长度大于所述第二区在所述第二方向上的长度。c轴相对于所述第一区和所述第二区的所述第二方向倾斜。所述c轴与垂直于所述第一表面的第三方向相交。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 彦坂年辉 大野浩志 布上真也
主分类号: H01L33/32(2010.01)I
分类号: H01L33/32(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/32申请日:20150514
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  沿第一表面伸展的氮化物半导体层,所述氮化物半导体层包括:第一区,所述第一区在平行于所述第一表面的第一方向上的长度大于所述第一区在平行于所述第一表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度;和第二区,其与所述第一区一起布置在所述第二方向上,所述第二区在所述第一方向上的长度大于所述第二区在所述第二方向上的长度;c轴,其相对于所述第一区和所述第二区的所述第二方向倾斜;所述c轴与垂直于所述第一表面的第三方向相交。
公开号  105280775A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  苗征 于辉
颁证日  
优先权  2014.06.25 JP 2014-130358
国际申请  
国际公布  
进入国家日期