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一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全IMC微焊点的方法
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申请号:201510235060.6 申请日:2015-05-11
摘要:一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全IMC微焊点的方法,其步骤如下:在圆片或芯片焊盘表面制备Cu或Ag膜,再依次沉积微米或亚微米级厚度的Sn/(Cu或Ag),可以根据所需焊点的高度重复上述Sn/(Cu或Ag)膜层的沉积步骤,达到所需厚度后,在上述多层微米、亚微米薄膜表面制备Sn膜;将上述圆片或芯片的多层薄膜结构与基板或其它圆片、芯片需要连接焊盘对准,并施加压力;将该体系放入回流炉中,经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段,最终实现全IMC焊点的制备。本发明中全IMC焊点的制备工艺可以很好的与传统的钎料再流焊工艺或热压焊工艺兼容,在低温、短时间内实现全IMC焊点的制备。在成本低、生产效率高的前提下实现焊点低温键合高温服役。
申请人: 哈尔滨工业大学
地址: 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
发明(设计)人: 刘威 王春青 田艳红
主分类号: C23C28/02(2006.01)I
分类号: C23C28/02(2006.01)I C23C14/04(2006.01)I
  • 法律状态
2017-03-29  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23C 28/02申请日:20150511
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全IMC微焊点的方法,其特征在于所述方法步骤如下:步骤一:在圆片或芯片表面需要键合的焊盘区域通过光刻技术在光刻胶膜上制备出相应的开口,或者利用激光蚀刻或化学腐蚀方法制备出掩膜板,掩膜的开口区域同样与圆片或芯片需要键合的焊盘区域对应并对准;步骤二:采用溅射、蒸镀或电镀方法在圆片或芯片的焊盘区域制备Cu膜或Ag膜;步骤三:采用蒸镀或电镀方法在步骤二中的薄膜表面制备Sn膜;步骤四:采用溅射或蒸镀的方法在步骤三中的Sn膜表面沉积Cu或Ag;步骤五:重复步骤三和步骤四,制备所需厚度焊点的多层薄膜结构;步骤六:采用蒸镀或电镀工艺在步骤五中所形成的多层薄膜结构表面制备Sn膜;步骤七:去除光刻胶或掩模板;步骤八:将步骤七中焊盘表面制备多层薄膜结构的芯片或圆片与基板或其它圆片、芯片表面的焊盘对接,并施加1~20MPa压力;步骤九:将以上体系放入回流炉中,经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段,完成全IMC焊点的制备。
公开号  104862701A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206
代理人  高媛
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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