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一种用于去除真空部件上ITO残渣的工艺方法
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申请号:201510188213.6 申请日:2015-04-20
摘要:本发明涉及一种用于去除真空部件上ITO残渣的工艺方法,将表面存有ITO残渣的真空部件按照如下工艺步骤进行处理:碱洗—酸洗—清洗—风干—喷砂处理—浸泡—烘烤除湿。按照碱洗、酸洗、清洗、喷砂处理、浸泡、烘烤除湿等工序对真空部件表面进行处理,保证部件表面清洁、干净,同时喷砂处理使得工件表面粗糙度增加,磁控溅射镀膜时ITO残渣不易脱落。
申请人: 安徽立光电子材料股份有限公司
地址: 239200 安徽省滁州市来安县经济开发区B区(滁天路南侧)
发明(设计)人: 胡超川 傅强 李加海 朱磊 江雪峰 后德文
主分类号: C23G1/10(2006.01)I
分类号: C23G1/10(2006.01)I C23G1/20(2006.01)I B08B1/00(2006.01)I B08B3/04(2006.01)I C23C14/35(2006.01)N
  • 法律状态
2017-09-05  授权
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C23G 1/10申请日:20150420
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于去除真空部件上I?TO残渣的工艺方法,其特征在于,将表面存有I?TO残渣的真空部件按照如下工艺步骤进行处理:(1)碱洗将待处理的真空部件放置在存放槽中,并使真空部件浸入质量分数为25%的NaOH溶液中,NaOH溶液加热至80℃,浸泡2?4h后取出真空部件沥干,再放入清洗槽清洗后取出沥干;(2)酸洗将已沥干的真空部件放入质量分数为25%的稀硫酸溶液中,稀硫酸溶液加热至50℃,浸泡2?4h后取出真空部件沥干;(3)清洗沥干后的真空部件放入清洗槽浸泡清洗,清洗时应用清洗工具将真空部件上面的I?TO残渣全部清洗干净,再将清洗后的真空部件放入漂洗槽漂洗,漂洗过后的真空部件再用高压清洗机对其进行冲洗后沥干;(4)风干将清洗好的真空部件,放在工件架上用电扇或热风枪吹干水分;(5)喷砂处理将已风干的真空部件进行喷砂处理,喷砂处理使用压力为6MPa以上,处理时间0.5?2h;(6)浸泡将喷砂好的真空部件放置在清洗槽中浸泡1h后取出,沥干水分;(7)烘烤除湿将已沥干水分的真空部件摆放在烘箱中进行烘烤,烘烤温度80℃,烘烤时间1?2h。
公开号  104862720A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  安徽信拓律师事务所 34117
代理人  鞠翔
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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