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一种氮化镓二极管及其制作方法
审中-实审

申请号:201510185726.1 申请日:2015-04-17
摘要:本发明公开了一种氮化镓二极管及其制作方法,该氮化镓二极管包括:衬底;位于所述衬底上的第一沟道层;位于所述第一沟道层上的第一势垒层,所述第一势垒层与所述第一沟道层的交界面处形成有第一二维电子气;位于所述第一势垒层上的帽层结构;位于所述帽层结构一侧第一势垒层上和/或延伸至所述第一势垒层之内的阴极,所述帽层结构和所述阴极之间设置有间隙;位于所述帽层结构另一侧第一势垒层上和/或延伸至所述第一势垒层之内的阳极,且所述阳极覆盖至所述帽层结构的上表面。本发明所述的氮化镓二极管具有低开启电压、低导通电阻、高正向导通电流、高反向耐压和低反向漏电的特性。
申请人: 苏州捷芯威半导体有限公司
地址: 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室
发明(设计)人: 裴轶 邓光敏 张乃千
主分类号: H01L29/872(2006.01)I
分类号: H01L29/872(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/329(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/872申请日:20150417
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氮化镓二极管,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的第一沟道层;位于所述第一沟道层上的第一势垒层,所述第一势垒层与所述第一沟道层的交界面处形成有第一二维电子气;位于所述第一势垒层上的帽层结构;位于所述帽层结构一侧第一势垒层上和/或延伸至所述第一势垒层之内的阴极,所述帽层结构和所述阴极之间设置有间隙;位于所述帽层结构另一侧第一势垒层上和/或延伸至所述第一势垒层之内的阳极,且所述阳极覆盖至所述帽层结构的上表面。
公开号  105280725A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京品源专利代理有限公司 11332
代理人  路凯 胡彬
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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