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电沉积组合物和使用所述组合物涂覆半导体衬底的方法
审中-实审

申请号:201510145991.7 申请日:2009-05-04
摘要:本发明涉及电沉积组合物,该组合物特别用于涂覆半导体衬底以制造用于生产集成电路中的互连线的“通孔”型结构。根据本发明,所述溶液包括乙二胺和浓度在14mM-120mM之间的铜离子,乙二胺和铜的摩尔比在1.80-2.03之间,且电沉积溶液的pH在6.6-7.5之间。本发明还涉及所述电沉积溶液用于沉积铜种子层的用途,以及借助于本发明的电沉积溶液沉积铜种子层的方法。
申请人: 埃其玛公司
地址: 法国梅西
发明(设计)人: 赛德·扎赫拉维 弗雷德里克·雷纳尔
主分类号: C25D3/38(2006.01)I
分类号: C25D3/38(2006.01)I C25D5/54(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C25D 3/38申请日:20090504
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种对用于生产集成电路的铜层进行镀覆的方法,其中,将所述铜层镀覆在蚀刻有长宽比大于3:1的结构的衬底上,并且其中,所述结构的表面形成对抗铜扩散的阻挡层,所述方法包括:?使所述结构的表面和电沉积组合物接触的步骤,所述电沉积组合物以溶液形式在溶剂中包括:?浓度在14mM?120mM之间的铜离子;?乙二胺;?乙二胺和铜之间的摩尔比在1.80?2.03之间;?所述组合物的pH在6.6?7.5之间、优选7.2;以及?将所述表面极化足够的时间以形成覆盖因子超过99%、并且保形性超过30%的铜层的步骤。
公开号  104862750A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人  董世豪 张淑珍
颁证日  
优先权  2008.05.05 FR 0852970;2008.10.02 US 61/194,977
国际申请  
国际公布  
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