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具有栅极氧化物层的FINFET器件
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申请号:201510144290.1 申请日:2015-03-30
摘要:本发明提供了一种半导体结构。根据一些实施例,该半导体结构包括:衬底;一个或多个鳍,每一个都包括形成在衬底上方的第一半导体层;氧化物层,形成为包围一个或多个鳍的每一个的上部;以及栅极堆叠件,包括形成为包围在氧化物层上方的高K(HK)介电层和金属栅(MG)电极。第一半导体层可包括硅锗(SiGex),并且氧化物层可包括硅锗氧化物(SiGexOy)。本发明还提供了一种具有栅极氧化物层的FINFET器件。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 李东颖 黄玉莲 张毅敏
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2018-04-20  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20150330
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,所述器件包括:衬底;一个或多个鳍,每一个都包括形成在所述衬底上方的第一半导体层;氧化物层,形成为包围所述一个或多个鳍中每一个的上部;以及栅极堆叠件,包括形成为包围在所述氧化物上方的高K(HK)介电层和金属栅(MG)电极,其中,所述第一半导体层包括硅锗(SiGex),并且其中,所述氧化物层包括硅锗氧化物(SiGexOy)。
公开号  105280706A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.07.10 US 14/328,350
国际申请  
国际公布  
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