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具有气隙的半导体器件及其制造方法
审中-实审

申请号:201510103190.4 申请日:2015-03-09
摘要:一种半导体器件包括:第一插塞;位线,与第一插塞接触并且在第一插塞之上,以及在一个方向上延伸;第二插塞,包括与位线相邻的第一部分和与第一插塞相邻的第二部分;双气隙,设置在第二插塞的第一部分与位线之间,并且包括包围第二插塞的第一部分的第一气隙和与位线的侧壁平行的第二气隙;以及覆盖层,适于覆盖第一气隙和第二气隙。
申请人: 爱思开海力士有限公司
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 金银贞 李振烈
主分类号: H01L23/522(2006.01)I
分类号: H01L23/522(2006.01)I H01L21/764(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-18  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522申请日:20150309
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:第一插塞;位线,与所述第一插塞耦接,提供在所述第一插塞之上,以及在一个方向上延伸;第二插塞,包括与所述位线相邻的第一部分和与所述第一插塞相邻的第二部分;双气隙,设置在所述第二插塞的第一部分与所述位线之间,并且包括第一气隙和第二气隙,其中,所述第一气隙包围所述第二插塞的第一部分,并且所述第二气隙与所述位线平行地延伸;以及覆盖层,覆盖所述第一气隙和所述第二气隙。
公开号  105280608A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人  俞波 周晓雨
颁证日  
优先权  2014.07.25 KR 10-2014-0095041
国际申请  
国际公布  
进入国家日期