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半导体装置
无权-撤回

申请号:201510096984.2 申请日:2015-03-04
摘要:实施方式的半导体装置具有第2导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、以及第2导电型的第4半导体区域。栅极电极在与从第3半导体区域朝向第2半导体区域的第3方向正交的第1方向上,隔着第1绝缘区域而与第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着第1绝缘区域而与第5半导体区域相邻的部分的长度长。第4半导体区域具有比第3半导体区域中的位于第4半导体区域与第5半导体区域之间的部分的第2导电型的载流子密度高的第2导电型的载流子密度。第4半导体区域相对于第1绝缘区域的第1方向侧的端部设置在第1方向侧。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京
发明(设计)人: 押野雄一 小仓常雄
主分类号: H01L29/739(2006.01)I
分类号: H01L29/739(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-09  发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H01L 29/739申请公布日:20160127
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20150304
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,其特征在于包括:第2导电型的第1半导体区域;第1导电型的第2半导体区域,设置在所述第1半导体区域上;第2导电型的第3半导体区域,设置在所述第2半导体区域上;第1导电型的第5半导体区域,选择性地设置在所述第3半导体区域上;栅极电极,隔着与所述第5半导体区域相接的第1绝缘区域而设置在所述第3半导体区域内,在与从所述第3半导体区域朝向所述第2半导体区域的第3方向正交的第1方向上,隔着所述第1绝缘区域而与所述第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着所述第1绝缘区域而与所述第5半导体区域相邻的部分的长度长;以及第2导电型的第4半导体区域,选择性地设置在所述第3半导体区域上,具有比所述第3半导体区域中的位于与所述第5半导体区域之间的部分的第2导电型的载流子密度高的第2导电型的载流子密度,且相对于所述第1绝缘区域的所述第1方向侧的端部设置在所述第1方向侧。
公开号  105280693A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人  张世俊
颁证日  
优先权  2014.06.27 JP 2014-132960
国际申请  
国际公布  
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