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一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法
无权-驳回

申请号:201510095123.2 申请日:2015-03-04
摘要:本发明公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池,包括硅片,其特征在于:在所述硅片正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层,石墨烯导电层和低折射率氮化硅减反层。同时,本发明还公开了一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造方法,包括如下步骤:选取硅片,进行制绒、扩散及后清洗;硅片正面沉积高折射率氮化硅钝化层,折射率为2.2~2.3,膜厚为1~10nm;在氮化硅上面旋涂石墨烯的分散液,后续烘干,形成石墨烯导电层,厚度为1~10nm;在石墨烯层上沉积低折射率氮化硅减反层,折射率为2.0~2.1,膜厚为60~80nm;完成背电极、背电场、正电极印刷、烘干烧结,形成电池。本发明的晶体硅太阳能电池具有良好的抗PID性能和较高的电池转换效率。
申请人: 常州天合光能有限公司
地址: 213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
发明(设计)人: 王子港 陈奕峰 崔艳峰
主分类号: H01L31/068(2012.01)I
分类号: H01L31/068(2012.01)I H01L31/0216(2014.01)I H01L31/18(2006.01)I
  • 法律状态
2018-03-27  发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 31/068申请公布日:20160127
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/068申请日:20150304
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),其特征在于:在所述硅片(1)正面依次设置有高折射率氮化硅钝化层(2),石墨烯导电层(3)和低折射率氮化硅减反层(4)。
公开号  105280744A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  浙江永鼎律师事务所 33233
代理人  郭小丽
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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