搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

半导体装置
审中-实审

申请号:201510092967.1 申请日:2015-03-02
摘要:本发明的实施方式提供一种可抑制电流及电压的振荡的半导体装置。实施方式的半导体装置包含:半导体衬底,包含第1面、及与第1面对向的第2面;第一p型半导体区域,选择性地设置在第1面侧;第一n型半导体区域,设置在第2面侧;第二n型半导体区域,设置在第一p型半导体区域与第一n型半导体区域之间,且n型杂质浓度比第一n型半导体区域低;第三n型半导体区域,设置在第一p型半导体区域与第二n型半导体区域之间,且n型杂质浓度比第二n型半导体区域低;第四n型半导体区域,设置在第一n型半导体区域与第二n型半导体区域之间,n型杂质浓度比第二n型半导体区域低,且载流子寿命比第三n型半导体区域长;阳极电极;及阴极电极。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京
发明(设计)人: 松下宪一
主分类号: H01L29/868(2006.01)I
分类号: H01L29/868(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/868申请日:20150302
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,其特征在于包括:半导体衬底,包含第1面、及与所述第1面对向的第2面;第一p型半导体区域,选择性地设置在所述半导体衬底的所述第1面侧;第一n型半导体区域,设置在所述半导体衬底的所述第2面侧;第二n型半导体区域,设置在所述第一p型半导体区域与所述第一n型半导体区域之间的所述半导体衬底中,且n型杂质浓度比所述第一n型半导体区域低;第三n型半导体区域,设置在所述第一p型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中,且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低;第四n型半导体区域,设置在所述第一n型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中,n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低,且载流子寿命比所述第三n型半导体区域长;阳极电极,电连接于所述第一p型半导体区域;及阴极电极,电连接于所述第一n型半导体区域。
公开号  105280720A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人  张世俊
颁证日  
优先权  2014.07.25 JP 2014-151648
国际申请  
国际公布  
进入国家日期