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微机械超小型压阻式压力传感器及其制造方法
审中-实审

申请号:201510073360.9 申请日:2015-02-11
摘要:本发明提供了在硅晶片制造一个或多个超小型压阻式压力传感器的方法。压阻式压力传感器的膜片是熔融粘结形成。压阻式压力传感器可以由硅沉积、光刻和蚀刻工艺形成。
申请人: 苏州亘科医疗科技有限公司
地址: 215500 江苏省苏州市常熟市高新技术产业开发区东南大道68号1幢
发明(设计)人: 漆斌
主分类号: G01L9/06(2006.01)I
分类号: G01L9/06(2006.01)I B81C1/00(2006.01)I B81B7/02(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):G01L 9/06申请日:20150211
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造压阻式压力传感器的方法,其包括:提供第一绝缘体上硅结构,?其包括第一块状硅层上面第一氧化层上沉积的第一硅层;提供第二绝缘体上硅结构,其包括第二块状硅层上面第二氧化层上沉积的第二硅层;将第一硅层和第二硅层面对面结合在一起;去掉第二块状硅层;去掉第二氧化层,第二绝缘体上硅结构的第二硅层留在第一硅层上;形成一个或多个预定形状和尺寸的开口,以使第二硅层暴露出一部分;在第二硅层的一个或多个开口处形成一个或多个压电电阻器;在第二硅层和第一硅层中成形花纹沟槽,并终止于第一氧化层;去掉第一块状硅层,从而将压阻式压力传感器限定于花纹沟槽的边界内。
公开号  104865001A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人  项丽 李艳
颁证日  
优先权  2014.02.22 US 14187221
国际申请  
国际公布  
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