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用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及其制作方法
审中-实审

申请号:201510026032.3 申请日:2015-01-19
摘要:本发明的各个实施例涉及用于集成电路晶体管器件的背侧源极-漏极接触及其制作方法。集成电路晶体管形成在衬底上和在衬底中。用金属材料至少部分地填充在衬底中的沟槽,以形成埋置在衬底中的源极(或者漏极)接触。衬底进一步包括外延生长在源极(或者漏极)接触上方的源极(或者漏极)区域。衬底进一步包括与源极(或者漏极)区域相邻的沟道区域。在沟道区域的顶上设置栅极电介质并且在栅极电介质的顶上提供栅极电极。衬底优选地是绝缘体上硅(SOI)类型。
申请人: 意法半导体公司
地址: 美国得克萨斯州
发明(设计)人: J·H·张 W·克利迈耶
主分类号: H01L27/092(2006.01)I
分类号: H01L27/092(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L21/8238(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20150119
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种集成电路晶体管,包括:衬底,包括绝缘层和上覆半导体层,所述衬底包括延伸进入所述绝缘层中的沟槽;金属材料,至少部分地填充在所述绝缘层中的所述沟槽,以形成埋置在所述衬底中的源极接触;源极区域,由所述上覆半导体层形成,所述源极区域位于所述源极接触的顶上并且与所述源极接触电接触;沟道区域,在所述上覆半导体层中,与所述源极区域相邻;栅极电介质,在所述沟道区域的顶上;以及栅极电极,在所述栅极电介质的顶上。
公开号  105280643A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市金杜律师事务所 11256
代理人  王茂华
颁证日  
优先权  2014.06.06 US 14/298,000
国际申请  
国际公布  
进入国家日期