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铜互连结构及其形成方法
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申请号:201510016296.0 申请日:2015-01-13
摘要:本发明提供了一种半导体器件中的铜互连结构及其形成方法,铜互连结构包括具有侧壁和表面的介电层,侧壁和表面限定介电层中的开口。铜互连结构还包括沉积在介电层的限定开口的侧壁和表面上的阻挡层。铜互连结构进一步包括沉积在阻挡层上的阻挡/种子混合层。铜互连结构额外地包括沉积在阻挡/种子混合层上的粘合层。铜互连结构还包括沉积在粘合层上的种子层。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 余振华 眭晓林 李香寰 叶菁馥
主分类号: H01L23/532(2006.01)I
分类号: H01L23/532(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2018-05-04  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/532申请日:20150113
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件中的铜互连结构,包括:介电层,具有侧壁和表面,所述侧壁和所述表面限定所述介电层中的开口;阻挡层,沉积在所述介电层的限定所述开口的所述侧壁和所述表面上;阻挡/种子混合层,沉积在所述阻挡层上;粘合层,沉积在所述阻挡/种子混合层上;以及种子层,沉积在所述粘合层上。
公开号  105280613A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.07.16 US 14/332,866
国际申请  
国际公布  
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