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具有自对准浮栅和控制栅的存储器结构和关联方法
审中-实审

申请号:201480064182.7 申请日:2014-11-24
摘要:一种存储器结构,其具有至少大致对准的浮栅和控制栅。这样的存储器结构包括:控制栅材料,其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间;浮栅材料,其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间并且与控制栅材料至少大致对准,该浮栅材料包括金属区和多层复合电介质(IPD)层,其设置在控制栅材料与浮栅材料之间使得IPD层将控制栅材料与浮栅材料电隔离。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: J.D.霍金斯 F.A.辛塞克格
主分类号: H01L27/115(2006.01)I
分类号: H01L27/115(2006.01)I H01L21/8247(2006.01)I H01L29/788(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/115申请日:20141124
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  ?一种存储器结构,其具有至少大致对准的浮栅和控制栅,所述存储器结构包括:控制栅材料,其设置在第一绝缘体层与第二绝缘体层之间;浮栅材料,其设置在所述第一绝缘体层与所述第二绝缘体层之间并且与所述控制栅材料至少大致对准,所述浮栅材料包括金属区;和多层复合电介质(IPD)层,其设置在所述控制栅材料与所述浮栅材料之间使得所述IPD层将所述控制栅材料与所述浮栅材料电隔离。
公开号  105723511A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  张金金 付曼
颁证日  
优先权  2013.12.24 US 14/140215
国际申请  2014-11-24 PCT/US2014/067134
国际公布  2015-07-02 WO2015/099930 EN
进入国家日期  2016.05.24