搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

外延硅片和外延硅片的制造方法
审中-实审

申请号:201480063950.7 申请日:2014-09-12
摘要:外延硅片的制造方法具备如下工序:使外延膜在硅片的表面生长的外延膜生长工序(步骤S3)、以及将外延硅片的温度从使外延膜生长时的温度开始下降的降温工序(步骤S4),降温工序中控制外延硅片的降温速率,以使外延膜中的不包括该外延膜的表面在内的位置的氧浓度达到2.5×1016atoms/cm3以上。
申请人: 胜高股份有限公司
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 鸟越和尚 小野敏昭 中村浩三
主分类号: H01L21/205(2006.01)I
分类号: H01L21/205(2006.01)I C23C16/24(2006.01)I C30B25/20(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/205申请日:20140912
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  外延硅片,其为在硅片的表面设置有外延膜的外延硅片,其特征在于,所述外延膜中的不包括该外延膜的表面在内的位置的氧浓度为2.5×1016atoms/cm3(ASTM?F?121,1979)以上且不足1.0×1017atoms/cm3
公开号  105723497A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  马倩 刘力
颁证日  
优先权  2013.11.26 JP 2013-244056
国际申请  2014-09-12 PCT/JP2014/074180
国际公布  2015-06-04 WO2015/079777 JA
进入国家日期  2016.05.23