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用于相变存储器(PCM)阵列的衬垫及相关联的技术和配置
审中-实审

申请号:201480063544.0 申请日:2014-12-09
摘要:本公开的实施例描述了一种用于相变存储器(PCM)阵列的衬垫及相关联的技术和配置。在实施例中,衬底、设置在衬底上的相变存储器(PCM)元件的阵列,其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料,以及设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫,其中衬垫包括铝(Al)、硅(Si)和氧(O)。可以描述和/或要求保护其它实施例。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: N.罗克莱因 Q.陶 Z.宋 V.巴特
主分类号: H01L27/115(2006.01)I
分类号: H01L27/115(2006.01)I H01L21/8247(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/115申请日:20141209
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种装置,包括:衬底;设置在衬底上的相变存储器(PCM)元件的阵列,其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料;以及设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫,其中衬垫包括铝(Al)、硅(Si)和氧(O)。
公开号  105723510A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  孙鹏 傅康
颁证日  
优先权  2013.12.20 US 14/137864
国际申请  2014-12-09 PCT/US2014/069280
国际公布  2015-06-25 WO2015/094810 EN
进入国家日期  2016.05.20