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高密度线性电容器
审中-实审

申请号:201480063001.9 申请日:2014-09-23
摘要:一种用于制造电容器结构的方法包括在半导体基板上制造多晶硅结构(PO)。该方法进一步包括在半导体基板上制造M1至扩散(MD)互连。该多晶硅结构被设置在具有MD互连的交织布局中。该方法还包括选择性地连接MD互连的交织式布局和/或多晶硅结构作为电容器结构。
申请人: 高通股份有限公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: B·S·李 S·S·巴扎加尼 L·戴
主分类号: H01L49/02(2006.01)I
分类号: H01L49/02(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L27/07(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 49/02申请日:20140923
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于制造电容器结构的方法,包括:在半导体基板上制造多个多晶硅结构;在所述半导体基板上制造多个M1至扩散(MD)互连,其中所述多个多晶硅结构被置于具有所述多个MD互连的交织式布局中;以及选择性地连接所述多个MD互连的所述交织式布局和/或所述多个多晶硅结构作为所述电容器结构。
公开号  105723535A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  亓云
颁证日  
优先权  2013.11.20 US 61/906,834;2014.04.29 US 14/264,620
国际申请  2014-09-23 PCT/US2014/057017
国际公布  2015-05-28 WO2015/076926 EN
进入国家日期  2016.05.18