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多阈值电压器件以及相关联的技术和结构
审中-实审

申请号:201480062528.X 申请日:2014-12-02
摘要:本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中,一种装置包括:半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极,其中,第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。
申请人: 英特尔公司
地址: 美国加利福尼亚
发明(设计)人: J·M·施泰格瓦尔德 T·加尼 J·胡 I·R·C·波斯特
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-12-21  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20141202
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种装置,包括:半导体衬底;沟道体,所述沟道体被设置在所述半导体衬底上;第一栅极电极,所述第一栅极电极具有第一厚度并且与所述沟道体耦合;以及第二栅极电极,所述第二栅极电极具有第二厚度并且与所述沟道体耦合,其中,所述第一厚度大于所述第二厚度。
公开号  105723517A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  陈松涛 韩宏
颁证日  
优先权  2013.12.16 US 14/108,265
国际申请  2014-12-02 PCT/US2014/068210
国际公布  2015-06-25 WO2015/094648 EN
进入国家日期  2016.05.16