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用于半导体制造部件的高纯度金属顶涂层
审中-实审

申请号:201480062242.1 申请日:2014-11-11
摘要:一种用于涂覆在用于等离子体蚀刻的半导体制造腔室中使用的部件的方法包括以下步骤:提供用于半导体制造腔室中的部件;将所述部件加载到沉积腔室中;将金属粉末冷喷涂覆到所述部件上以在所述部件上形成涂层;以及阳极化所述涂层以形成阳极化层。
申请人: 应用材料公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: J·Y·孙 V·菲鲁兹多尔
主分类号: H01L21/56(2006.01)I
分类号: H01L21/56(2006.01)I H01L21/203(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I
  • 法律状态
2016-10-19  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20141111
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种方法,所述方法包括以下步骤:提供用于半导体制造腔室中的部件;将所述部件加载到沉积腔室中;将金属粉末冷喷涂覆到所述部件上以在所述部件上形成涂层;以及阳极化所述涂层以形成阳极化层。
公开号  105723503A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  黄嵩泉
颁证日  
优先权  2013.11.13 US 14/079,586
国际申请  2014-11-11 PCT/US2014/065078
国际公布  2015-05-21 WO2015/073456 EN
进入国家日期  2016.05.13