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绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
审中-实审

申请号:201480061962.6 申请日:2014-10-06
摘要:绝缘栅双极型晶体管具备由N导电型的半导体基板(1S)构成的漂移层(1)、在半导体基板的背面侧的表层部形成的P导电型的集电极层(4)及在漂移层与集电极层之间形成的N导电型且杂质浓度比漂移层高的场中止层(6)。在半导体基板的厚度方向上,寿命控制层(5)通过氦的离子注入以规定的半值宽度形成,并且场中止层通过氢的离子注入以规定的半值宽度形成。寿命控制层的半值宽度区域和场中止层的半值宽度区域构成为重叠。
申请人: 株式会社电装
地址: 日本爱知县
发明(设计)人: 合田健太
主分类号: H01L29/739(2006.01)I
分类号: H01L29/739(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20141006
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种绝缘栅双极型晶体管,具备:漂移层(1),由N导电型的半导体基板(1S)构成;P导电型的集电极层(4),形成在所述半导体基板的背面侧的表层部;场中止层即FS层(6),是N导电型,形成在所述漂移层与所述集电极层之间,杂质浓度比所述漂移层高,在所述半导体基板的厚度方向上,寿命控制层即LT控制层(5),是通过氦(He)的离子注入而以规定的半值宽度形成的,所述FS层,是通过氢(H)的离子注入而以规定的半值宽度形成的,所述LT控制层的半值宽度区域和所述FS层的半值宽度区域构成为重叠。
公开号  105723513A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  王成坤 胡建新
颁证日  
优先权  2013.11.12 JP 2013-234260
国际申请  2014-10-06 PCT/JP2014/005076
国际公布  2015-05-21 WO2015/072064 JA
进入国家日期  2016.05.12