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贯通电极及使用该贯通电极的多层基板的制造方法
审中-实审

申请号:201480061896.2 申请日:2014-11-10
摘要:本发明涉及一种设置于具有贯通孔的基板上的贯通电极,所述贯通电极包含贯通所述贯通孔的贯通部、在所述贯通部的至少一端形成且比贯通电极更宽广的凸状凸块部和在所述凸状凸块部的与所述基板的接触面上形成的至少一层的金属膜,所述贯通电极部和所述凸状凸块部由通过将选自纯度为99.9重量%以上、平均粒径为0.005μm~1.0μm的金、银、钯、铂中的一种以上金属粉末烧结而成的烧结体形成,所述金属膜由纯度为99.9重量%以上的金、银、钯、铂中的任一种构成。本发明的贯通电极对于多层结构的电路基板是有用的,其能够缩短MEMS等元件的布线长度,并且还能够应对气密密封。
申请人: 田中贵金属工业株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 小柏俊典 村井博 兼平幸男
主分类号: H01L23/12(2006.01)I
分类号: H01L23/12(2006.01)I B81B7/00(2006.01)I B81C1/00(2006.01)I H01L23/14(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/12申请日:20141110
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种贯通电极,其设置于具有贯通孔的基板上,所述贯通电极包含:贯通所述贯通孔的贯通部、在所述贯通部的至少一个端部形成且比贯通电极更宽广的凸状凸块部、和在所述凸状凸块部的与所述基板的接触面上形成的至少一层的金属膜,所述贯通电极部和所述凸状凸块部由通过将选自纯度为99.9重量%以上、平均粒径为0.005μm~1.0μm的金、银、钯、铂中的一种以上金属粉末烧结而成的烧结体形成,所述金属膜由纯度为99.9重量%以上的金、银、钯、铂中的任一种构成。
公开号  105723506A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人  满凤 金龙河
颁证日  
优先权  2013.11.13 JP 2013-234562
国际申请  2014-11-10 PCT/JP2014/079710
国际公布  2015-05-21 WO2015/072422 JA
进入国家日期  2016.05.12