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半导体器件
审中-实审

申请号:201480061640.1 申请日:2014-10-22
摘要:提供在栅极宽度方向上器件的端部和中央部上的通态电阻或漏极电流密度均匀的高耐压横向半导体器件。在形成于SOI衬底上的横向N型MOS晶体管(11)的端部形成有由绝缘膜填充的沟槽隔离(10b)。隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的P型体区(1)相邻地设置有二极管12的阳极区(6),并且,隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的N型漏极漂移区(4)相邻地设置有二极管(12)的阴极区(15),使得在对晶体管施加电压时施加到沟槽隔离(10b)的电场为0。
申请人: 日立汽车系统株式会社
地址: 日本茨城县
发明(设计)人: 和田真一郎
主分类号: H01L29/786(2006.01)I
分类号: H01L29/786(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L29/861(2006.01)I H01L29/868(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20141022
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种形成在半导体衬底上的横向半导体器件,其特征在于,包括:形成在所述半导体衬底层上的第一导电型的第一区域;与所述第一导电型的区域邻接或者隔开间隔地将所述第一导电型的区域完全包围的第二导电型的第一区域;和与所述第一导电型的第一区域和第二导电型的第一区域的端部邻接的由绝缘膜构成的沟槽隔离,并且,所述横向半导体器件包括:与所述沟槽隔离邻接的第一导电型的第二区域;和与所述沟槽隔离邻接的第二导电型的第二区域,所述第一导电型的第一区域和第二区域至少在与所述沟槽隔离邻接的区域中具有相同的杂质分布和相同的区域宽度,所述第二导电型的第一区域和第二区域至少在与所述沟槽隔离邻接的区域中具有相同的杂质分布和相同的区域宽度,第一导电型的第一区域和第二导电型的第一区域为构成晶体管的区域。
公开号  105723518A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人  龙淳 杨艺
颁证日  
优先权  2013.11.12 JP 2013-233622
国际申请  2014-10-22 PCT/JP2014/078012
国际公布  2015-05-21 WO2015/072295 JA
进入国家日期  2016.05.11