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基板电荷中和用紧缩淹没式等离子体桥枪
审中-实审

申请号:201480058435.X 申请日:2014-10-23
摘要:一种使用于离子植入系统的等离子体流枪包括绝缘块部分以及配置于绝缘块部分的相对两侧上的第一导电块部分与第二导电块部分。导电带可耦接于第一导电块部分与第二导电块部分之间。导电块部分与中心体部分包括一起形成密闭回路等离子体腔室的凹处。为了将射频电功率感应耦合至密闭回路等离子体腔室中以激发气体物质来产生等离子体,电源耦接于导电块部分。在第二导电块部分中的凹处包括紧缩区域,其中紧缩区域的截面尺寸小于与紧缩区域直接相邻的部分的密闭回路等离子体腔室的截面面积。紧缩区域可紧邻在形成于第二导电部分中的出口部分。
申请人: 瓦里安半导体设备公司
地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
发明(设计)人: 阿里·夏奇 大卫·索尼什恩 麦可·基什尼夫斯基 安德鲁·B·考 葛雷哥里·E·斯特拉托蒂
主分类号: H01L21/265(2006.01)I
分类号: H01L21/265(2006.01)I H01J37/317(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20141023
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种等离子体流枪,使用于离子植入系统,其特征在于所述等离子体流枪包括:绝缘块部分,具有基座部分与中心体部分;第一导电块部分与第二导电块部分,配置于所述基座部分上以及配置于所述中心体部分的相对两侧上;以及导电带,耦接所述第一导电块部分与所述第二导电块部分;所述第一导电块部分、所述第二导电块部分与所述中心体部分包括形成于其中的各自凹处,所述各自凹处一起形成密闭回路等离子体腔室,其中所述第一导电块部分与所述第二导电块部分接收射频(RF)电功率以在所述密闭回路等离子体腔室内藉由激发气体物质以产生等离子体;以及其中在所述第二导电块部分中的所述各自凹处包括紧缩区域,其中所述紧缩区域的截面尺寸小于与所述紧缩区域直接相邻的部分的所述密闭回路等离子体腔室的截面尺寸,所述紧缩区域紧邻具有出口孔的出口部分。
公开号  105723498A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人  马爽 臧建明
颁证日  
优先权  2013.10.25 US 61/895,787;2013.12.20 US 14/137,196
国际申请  2014-10-23 PCT/US2014/061984
国际公布  2015-04-30 WO2015/061578 EN
进入国家日期  2016.04.22